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東北大など、磁気ランダムアクセスメモリの高性能化と高書き換え耐性の両立に成功

2018/12/5 17:10
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発表日:2018年12月5日

低ダメージプロセスインテグレーション技術開発による磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の高性能化と高書き換え耐性の両立に成功

データ保持時間の向上(128Mbの大容量メモリで80度10年間の情報保持)と高書き換え耐性100億回を同時に実現

【概要】

指定国立大学法人東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、CIESと略称)の遠藤哲郎センター長(兼 同大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究開発センター(世界トップレベル研究拠点)副拠点長、省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター長、スピントロニクス学術連携研究教育センター 部門長)のグループは、CIES コンソーシアム産学共同研究プロジェクト「不揮発性ワーキングメモリを目指したSTT-MRAMとその製造技術の研究開発」プログラム並びに科学技術振興機構産学共創プラットフォーム共同研究推進プログラム(領域統括:遠藤哲郎)において、東京エレクトロン株式会社(代表取締役社長・CEO 河合 利樹 本社:東京都港区赤坂 5-3-1 赤坂Bizタワー 以下、東京エレクトロン)と共同で、STT-MRAM製造における低ダメージ化を図るユニットプロセスの開発を行い、更に同ユニットプロセスを組み合わせて構成されるプロセスインテグレーション技術の開発により、スピン・トランスファー・トルク型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の高性能化と高書き換え耐性(※1)の両立に世界で初めて成功致しました。

本技術は、大容量STT-MRAMの製造に適した反応性イオンエッチングを含めたユニットプロセス開発、並びに300mmウェハ対応のプロセスインテグレーション技術を構築することで高性能化と高書き換え耐性の両立を実現したもので、STT-MRAMの実用化・応用分野の拡大への道を大きく前進させるものです。

今回の実証実験の成功は、本学国際集積エレクトロニクス研究開発センターが推進するCIES コンソーシアム並びに、東北大学が幹事機関を務め、東北大学・京都大学・山形大学と先進的企業群の力を結集して、産学共創プラットフォームの形成を目指すOPERAにおける開発体制によるものです。

以上の成果は、2018年12月1日~5日の間、米国サンフランシスコで開催される電子デバイスに関する国際学会である「米国電気電子学会(※2)国際電子デバイス会議(IEEE International Devices Meeting)」で発表致します。

*以下は添付リリースを参照

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

添付リリース

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0497470_01.pdf

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