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日立金属、ロームのSiCパワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部を受託し情報部品事業を強化・拡大

2017/11/9 17:30
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発表日:2017年11月9日

情報部品事業の強化・拡大について

 

 このたび日立金属株式会社(本社:東京都港区、社長:平木明敏、以下「当社」)は、ローム株式会社(本社:京都府京都市、社長:澤村諭)のSiC(シリコン・カーバイド)(*1)パワー半導体(*2)ウエハーの製造プロセスの一部を受託することで、情報部品事業の強化・拡大を図ることを検討いたします。製造は地理的メリットをいかせる当社の山崎工場(大阪府三島郡島本町)を活用し、急速な需要拡大に対応する予定です。

 SiCパワー半導体は、現在主流となっているSiパワー半導体と比較して、インバーターやコンバーターなど電力変換器の損失を大幅に低減でき、電力変換器の小型・軽量化を実現することが可能です。このため、送電システム、電車、電気自動車やハイブリッド電気自動車、産業機器等、様々な分野で今後の需要拡大が見込まれています。

 当社の情報部品事業は、医療・通信・車載用途など多彩な分野に向けたセラミックス材料の開発・製造を行ってきました。そういった中で、今回、これまで培ってきた製造技術をいかし、SiCパワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部(研磨工程)を手掛けるものです。製造拠点は、従来から情報部品の製造を行ってきた当社の山崎工場を活用する予定です。

 今後とも当社は、成長が期待される分野への集中により、情報部品事業の持続的成長を図ってまいります。

以 上

 *1 SiC(シリコン・カーバイド)

 シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料。低オン抵抗や高温度環境下での動作特性に優れ、自動車や産業機器の省エネ化を実現する低損失素子として期待されている。

 *2 パワー半導体

 主に電圧、周波数を変えたり、直流を交流、交流を直流に変えるなどの電力変換に使用される半導体。近年、省エネ化・省電力化への意識が高まり、SiCなどの電力損失が発生しにくい新しい半導体材料が注目されている。

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