東京大学、反強磁性体でMTJ素子　MRAMを高速化へ

2023年1月31日 NIKKEI Tech Foresight 1343文字

　東京大学大学院と同大学の物性研究所および先端科学技術研究センターの研究グループは、マンガンとスズから成る反強磁性体Mn₃Snが磁化を持たないにもかかわらず室温で量子トンネル磁気抵抗効果を示すことを発見した。Mn₃Snは磁化を持たないものの、巨大な異常ホール効果を示すことが知られている。テラヘル…

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