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次世代の半導体材料 特許競争力、日米が上位独占

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電子機器の省エネにつながる次世代半導体材料である炭化ケイ素(SiC)に関連する特許の競争力で、日米の企業が上位5位を独占していることが分かった。特許分析のパテント・リザルト(東京・文京)のまとめによると、SiCの半導体基板を手掛ける米クリーが首位、2~5位はローム住友電気工業などの日本勢だった。

7月29日までに発行された米国特許を基に、件数や注目度からスコアを算出した。SiCは既存のシリコンに代わる半導体の基板...

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