この記事は会員限定ですMRAM、書き込み電力1000分の1 大阪大学が圧電体で道
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大阪大学と東京工業大学は電子が持つ磁石の性質（スピン）を利用したMRAM（磁気記録式メモリー）の書き込みに必要な電力を従来の1000分の1にできる技術を開発した。メモリー素子を構成する膜の積層構造を工夫し、電流ではなく電圧で情報を書き込めるようにする。5年後をめどに実用化を目指す。
MRAMは次世代メモリーの候補の一つだ。不揮発性などの特徴があるが、メモリー素子に電流を流して情報を書き込むため消...
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