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半導体パッケージ基板、微細化対応の加工技術 東大など

東京大学の小林洋平教授らは味の素ファインテクノ(川崎市)などと共同で、半導体のパッケージ基板に直径6マイクロ(マイクロは100万分の1)メートル以下の微細な穴を開けるレーザー加工の技術を開発した。従来の技術では約40マイクロメートルが限界だった。微細化や高性能化が進む次世代の半導体向けに実用化をめざす。

三菱電機、レーザー発振器を手がけるスペクトロニクス(大阪府吹田市)との共同研究成果。

開発した技術では、プリント基板とCPU(中央演算処理装置)などをつなぐパッケージ基板に使われている味の素ファインテクノの絶縁フィルムに、配線用の微細な穴を開ける。具体的には波長が266ナノ(ナノは10億分の1)メートルの「深紫外レーザー」を極めて短い時間に区切って断続的に照射する。人工知能(AI)で最適なレーザーの照射方法を導き出す東大の技術を活用し、穴のサイズを従来より格段に小さくするめどを付けた。

2020年代後半以降に量産される次世代の半導体製造ではパッケージ基板の配線用の穴を直径10マイクロメートル以下に小さくすることが求められる。高性能の半導体は電気自動車(EV)などへの搭載で需要が拡大するとみられ、東大などは協力して実用化をめざす。4者は今後も半導体パッケージ基板の一段の微細化や高品質化を目指して協力を深める方針だ。

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