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パワー半導体、2つの材料を一体化 産総研

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産業技術総合研究所は次世代パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)を一体化した半導体の試作に成功した。電力変換に用いるパワー半導体は電子機器や電気自動車(EV)の省エネに不可欠だ。特性が異なる2つの材料を組み合わせて、高い変換効率と信頼性を両立させる。

SiCやGaNはパワー半導体の基板に使う。シリコンを使う通常のパワー半導体に比べ電力の変換効率が高い。Si...

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