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キオクシア、メモリー工場の一部操業停止 工程で不純物 

(更新)

キオクシアは10日、三重県と岩手県のメモリー工場について1月下旬から一部製造工程を停止していると発表した。生産工程で不純物を含む部材が混入したと見られ、製造ラインを止めて原因の特定を進めている。完成品在庫があり当面の出荷に影響はないものの、現在は量産工程が滞っており、将来の出荷量が制約を受けるとみられる。

製造への影響が出ているのは主力である3次元構造のNAND型フラッシュメモリー。三重県の四日市工場と岩手県の北上工場で手掛ける一部工程の稼働を止めた。

「工程の途中で異常を検知した」(キオクシア)としている。すでに出荷済みの製品については、性能上の問題などはないとみられる。

キオクシアと合弁でメモリーを生産している米ウエスタンデジタル(WD)は、今回の生産停止による影響について、記憶容量ベースで「6.5エクサバイト(1エクサバイトは10億ギガバイト)減少する」と公表した。台湾の調査会社、トレンドフォースの推計によると、WDの2022年1~3月生産の13%を占める。

WDは四日市、北上の両工場で生産されたフラッシュメモリーをキオクシアと配分して出荷している。配分比率や在庫量が異なり影響度合いに差はあるものの、両社の供給については、WDの公表値の2倍、13エクサバイト程度の制約が想定される。

フラッシュメモリーの市場規模(記憶容量ベース)は20年時点で476エクサバイト。年率30%程度の成長を続けており、21年には600エクサバイト程度とみられる。

フラッシュメモリーを巡っては、最大手の韓国サムスン電子が21年末、中国・西安の都市封鎖の影響から現地工場の操業度を調整した。今回のキオクシアとWDの出荷量が制約されることで需給は一層引き締まり、トレンドフォースは4~6月期のフラッシュメモリーの価格が5~10%高くなる可能性があると指摘する。

先端の半導体は十数ナノ(ナノは10億分の1)メートル単位の回路幅で構成されており、不純物が入ると不具合の原因となる。材料や製造ラインともに、高い純度や清浄度、精密さが求められている。

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