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半導体の電力ロス、30年までに半減へ 脱炭素基金で支援

経済産業省はパワー半導体の電力ロスを低減できる技術開発を支援する

経済産業省は30日、電気自動車(EV)などの制御に使われる「パワー半導体」の省エネルギー化に向け、脱炭素技術の開発などを支援する2兆円基金の一部を使う検討に入った。省エネが期待できる新素材を量産する研究開発を後押しする。電圧を変換するときに生じていた電力ロスを2030年までに半減する。

同日開かれた産業構造審議会(経産相の諮問機関)の会合で基金を使った計画案を示した。ほかにも光技術を活用したデータセンターの省エネ推進や自動車モーターの高性能化といった案を示した。今後それぞれの分野に対して2兆円基金から配分する。

パワー半導体は電圧を変換する際に電力ロスが生じており、高性能化に向けた技術開発が課題になっていた。省エネ性能が高いとされるシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの新素材の研究開発を支援対象にする。これらの新素材のコストを現在の主流であるシリコンと同程度に低減し量産をめざす。

パワー半導体は電源を制御する半導体で、鉄道や自動車などさまざまな電子機器に使われている。世界市場は現在の3兆円規模から2050年には10兆円に拡大すると予想されており、各社が次世代製品の開発を競っている。経産省は市場が拡大する分野を育成しながら脱炭素の実現につなげる。

カーボンゼロ

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