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三菱電機、次世代半導体の試作棟が完成

三菱電機は30日、福岡市にあるパワーデバイス製作所内に建設していた次世代半導体の開発試作棟が完成したと発表した。投資額は約45億円。電気自動車や発電所などで使うパワー半導体の開発や試作などをする。世界中で半導体需要が旺盛になる中、半導体開発に積極的に投資することで、拡大する市場でのシェア確保を狙う。

新設した開発試作棟は地上6階建てで、延べ床面積が1万350平方メートル。敷地内に点在していた研究開発の施設を集約し、同棟では約300人が働くという。9月から設備の搬入を始め、2023年に本格稼働させる。

パワー半導体は通常の半導体に比べて耐久性が高く、電圧や電流の強い製品で使用する。鉄道や電気自動車、風力発電所などで使われており、市場の拡大が見込まれている。

三菱電機はパワー半導体への設備投資を、25年度までの5年間で約1300億円実施することを公表している。21年11月には広島県福山市で工場を稼働した。30日の竣工式で同製作所の岩上徹所長は「集約することで開発の効率化が図れる。新製品の開発を加速させていきたい」と話した。

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