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台湾・南亜科技がDRAM新工場、1.36兆円投じ能力2.2倍

回路線幅10ナノメートル台の先端品量産へ

【台北=龍元秀明】半導体メモリーのDRAM大手で台湾の南亜科技(ナンヤ・テクノロジー)は23日、北部の新北市で新工場の着工式を開いた。総投資額は3000億台湾ドル(約1兆3600億円)で、2025年から順次、稼働を始める。足元のDRAM需要は世界的なインフレなどを受け減速しているが、長期的な市場成長を見込み投資を進める。

DRAMはさまざまな電子機器でデータの一時記憶を担う半導体で、新工場では回路線幅10ナノ(ナノは10億分の1)メートル台の先端品を量産する。フル稼働すれば南亜科技全体の生産能力は現在の2.2倍に高まる。先端品の生産に必要なEUV(極端紫外線)露光装置も順次、導入する。

経営トップの呉嘉昭・董事長はあいさつで「新工場では人工知能(AI)や高速通信規格5G、自動運転、サーバー、スマートフォン向けのDRAMを生産する」と述べた。南亜科技は現在、家電向けの汎用DRAMが中心だが、新工場の稼働を機に供給先を広げたい考えだ。

着工式には台湾の蔡英文(ツァイ・インウェン)総統も出席し「ここ数年、台湾への投資を奨励してきたことで、域内メーカーの投資が増えている」と述べた。

南亜科技はDRAMの世界シェアで韓国サムスン電子、韓国SKハイニックス、米マイクロン・テクノロジーの3強に次ぐ4番手。上位3社はすでに10ナノ台のDRAMが主力となっており、南亜科技が追う形だ。

台湾では25年にかけて半導体メーカーの大型投資が相次ぐ。受託生産世界最大手の台湾積体電路製造(TSMC)は22年に、最大で前年比46%増の440億米ドル(約6兆円)の設備投資を計画する。

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