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キオクシア、書き込み性能2倍超のフラッシュメモリー開発

世界最先端水準

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半導体大手のキオクシア(旧東芝メモリ)は、データ保存に使うNAND型フラッシュメモリーで、データを保存する「記憶素子」の層を世界最先端水準の約170層にできる技術を開発した。現在の112層のタイプに比べ書き込み速度は2倍以上になる。高速通信規格「5G」の普及を背景に高速・大容量でのデータのやり取りが増えるのをにらみ、データセンターやスマートフォンの需要を開拓する。

米ウエスタンデジタル(WD)と共...

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