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サムスン電子と米IBM、次世代の半導体技術を共同開発

【ソウル=尾島島雄】韓国のサムスン電子と米IBMは次世代のシステムLSI(大規模集積回路)の製造技術を共同開発すると明らかにした。回路線幅20ナノ(ナノは10億分の1)メートルと10ナノメートル台の先端技術を分担して手掛けることにより開発費負担を軽減する狙い。半導体回路の微細加工は技術的な限界が近づいていると指摘されるが、両社は当面これまでの提携関係を維持する。

スマートフォン(高機能携帯電話)やタブレット端末などの頭脳の役割を担う半導体を製造する技術や材料を共同で開発する。まず20ナノから手掛ける。

両社は2005年以降、65ナノ、45ナノ、32ナノの各世代の技術開発で協業していた。32ナノではIBMが主導する多数社の企業連合に東芝や米グローバルファウンドリーズなどとともにサムスンも参加していた。

システムLSIの量産レベルの最先端技術は台湾積体電路製造(TSMC)が手掛ける28ナノ品。サムスンはIBMと組むことにより技術開発を加速し、次世代品の量産で先行したい考えだ。

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