東芝、最先端のプロセス技術用いたフラッシュを量産

東芝は、15nm（ナノメートル）プロセスルール（半導体回路のトランジスター寸法）を用いたNANDフラッシュメモリーを開発した。2ビット/セル技術を採用した128Gビット品である。

2014年4月末から、四日市工場の第5製造棟で、現行の19nm第2世代品から切り替えて順次量産する。現在建設中の第5製造棟 第2期分（フェーズ2）の完成後、同年秋からは同棟でも製造する。

15nmプロセスは同社が「1Znm世代」と呼んできたプロセス技術であり、現状で業界最先端となる。周辺回路の工夫と併せて、世界最小クラスのチップサイズを実現したという。

19nm第2世代品と比べて、書き込み速度はほぼ同等である。データ転送速度は高速インターフェース仕様の採用により、同1.3倍の533Mビット/秒を実現した。

東芝は15nmプロセスを採用した3ビット/セル製品についても2014年4～6月の量産開始を計画している。並行して開発しているNANDコントローラーを組み合わせて、スマートフォン（スマホ）やタブレット端末などに展開する予定という。またSSD（半導体ディスク装置）の開発も進め、ノートパソコンなどへの搭載を図る。

（日経BP半導体リサーチ　大下淳一）

[日経テクノロジーオンライン 2014年4月23日掲載]