東芝の技術、韓国に漏洩疑い 提携先元社員に逮捕状

東芝の半導体メモリーに関する研究データを韓国企業に漏らした疑いがあるとして、警視庁捜査2課は13日までに、東芝の提携先の半導体メーカーの元社員の男について、不正競争防止法違反（営業秘密侵害）容疑で逮捕状を取った。

捜査関係者によると、男は提携先の社員として東芝の半導体メモリー開発拠点の四日市工場（三重県）に勤務していた2008年ごろ、東芝の営業秘密に該当する研究データを不正に記録媒体にコピー。韓国半導体大手「ハイニックス半導体（現・SKハイニックス）」に漏らした疑いがもたれている。

男は東芝の提携先を退職後、ハイニックス社に転職したという。

東芝は昨年、不正競争防止法違反容疑で警視庁に刑事告訴した。

半導体メモリーはスマートフォンやパソコンなどでデータを保存する役割を担う。作業中のデータを一時的に保存するDRAM、電源を切った後も保存するNAND型フラッシュメモリー、次世代型のMRAMなどがある。

今回、研究データが流出したとされるのはNAND型。1980年代に東芝が開発し、現在は韓国サムスン電子や米マイクロン・テクノロジーなどが手掛ける。

NAND型メモリーを巡っては、東芝が04年に、ハイニックス社に特許を侵害されたとして、販売差し止めと損害賠償を求めて日米の裁判所に提訴。06年に東京地裁で東芝が勝訴し、ハイニックス側が控訴したが、07年に和解した。

東芝とSKハイニックスは11年に新型メモリーの共同開発で提携するなど、近年は協力関係にある。