インテルが5～7倍高速の半導体ディスク、16年発売へ

米Intel（インテル）は、米Micron Technologyと共同開発した次世代メモリー技術「3D XPoint technology」を使ったSSDを試作、同社が主催する開発者会議「IDF15」で動作デモを初公開した。

NANDフラッシュメモリーを使ったSSDに比較して、処理速度を5～7倍高速化できることを示した。同社は、このメモリー技術を活用したSSDを2016年にも市場投入する。高速性を強みに、ビッグデータ処理やヘルスケア分野などへの導入を目指す。

同社CEO（最高経営責任者）のBrian Krzanich氏による基調講演で実演した。NANDフラッシュメモリーを使う従来型のSSDと、データの書き込み/読み出しの処理性能を比較し、IOPS（input output per second）で5～7倍高速に実行できる様子を示した。

Intelは3D XPoint technologyを使うメモリー製品群を「OPTANE」と名付け、マーケティングを進めていく方針だ。ウルトラブックなどの携帯機器からサーバー用途まで、幅広い展開を想定する。

Intelは2015年7月末に、Micron Technologyと共に3D XPoint technologyを発表、2015年末にサンプル出荷を始め、2016年から量産出荷するという方針を示していた。IntelはSSDに加え、DIMMモジュールも製品化する予定で、サーバー向けマイクロプロセッサーの「Xeon」と組み合わせて活用するという。

製造には、20nm（ナノメートル）のCMOS技術を使う予定。3D NANDの製造設備と共通化できる部分もあるという。ただしIntelは、3D XPoint technologyで活用するメモリー素子の詳細などは非公開のままだ。その理由について同社は、「製品出荷などを優先させるため」としている。今後開催される別の学会などで、言及していくとみられる。

（日経テクノロジーオンライン　蓬田宏樹）

［日経テクノロジーオンライン 2015年8月19日掲載］