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マイクロン、最先端フラッシュ開発

半導体メモリー大手の米マイクロン・テクノロジーは10日、データの保存に使われるNAND型フラッシュメモリーで、最新型の「176層」を開発したと発表した。フラッシュメモリーでは記憶素子を積み重ねて記憶容量を増やす「3次元化」を各社が競っている。176層の開発は世界初で、競合他社から一歩進んだ格好だ。

高速通信規格「5G」の本格普及でデータの通信量や処理量が急増することが見込まれる。同社は最新のメモリーが自動車やデータセンター向けなどでの利用を見込む。

開発した176層のメモリーは、データの読み書き速度が同社の既存製品に比べて約35%向上する。半導体チップのサイズも独自技術を組み合わせ、競合製品に比べ3割程度小さくできたという。

フラッシュメモリーを巡っては、韓国サムスン電子やSKハイニックスが「128層」を手掛け、中国半導体大手、紫光集団傘下の長江存儲科技(長江メモリー・テクノロジーズ、YMTC)は4月に128層の開発に成功したと発表した。

国内大手のキオクシア(旧東芝メモリ)は米ウエスタンデジタルと共同開発した「112層」の製品をサンプル出荷している。(広井洋一郎)

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