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キオクシア、「恩賜発明賞」を受賞

半導体メモリー大手のキオクシア(旧東芝メモリ)は24日、科学技術の向上と産業の発展に貢献した発明者に贈る2020年度の全国発明表彰(発明協会主催)で、最も優れた発明者を対象とする「恩賜発明賞」を受賞したと発表した。フラッシュメモリーの大容量化や製造コストの低減に寄与する3次元メモリーの技術を発明したことが評価された。

受賞したのは先端メモリデバイス開発部グループ長の鬼頭傑氏ら6人。フラッシュメモリーはスマートフォンやデータセンターの記憶媒体として使われるほか、新型のゲーム機にも搭載されている。

07年に発表したメモリーを効率的に積層する工程の開発が評価された。評価対象となった発明はフラッシュメモリーの素子を積み上げる「3次元メモリー」の技術だ。従来はメモリー素子を積層する際に層の数だけ微細加工のプロセスを繰り返す必要があったが、メモリー素子の材料を積層した後に一括して微細加工をできるようにした。

従来のフラッシュメモリーはセルを平面に配置し、回路を微細にすることで単位面積当たりの容量を増やしていた。ただ、微細化による加工の難度が高まるなどの課題が起きていたという。(広井洋一郎)

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