サムスン、DRAM新棟が稼働 「EUV」技術活用

アジアBiz
2020/8/31 16:30
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【ソウル=細川幸太郎】韓国サムスン電子は半導体メモリーの主力拠点、平沢(ピョンテク)工場の第2棟を稼働させた。半導体性能を飛躍的に高められる「EUV(極端紫外線)」と呼ぶ製造技術を使った最先端DRAMの出荷を始めた。競合が増産投資に二の足を踏む中でもメモリー最大手のサムスンは投資を続ける。

サムスン平沢事業場の第2棟(手前)が稼働し最先端DRAMの出荷が始まった

平沢工場第2棟は、延べ床面積約13万平方メートルでサッカーコート16面分の広さ。今回のDRAMを皮切りに、NAND型フラッシュメモリーの量産や、半導体生産受託(ファウンドリー)事業も進める計画で、総投資額は30兆ウォン(約2兆7000億円)を超えるという。

出荷を始めた最先端DRAMは「16ギガ(ギガは10億)ビットLPDDR5」と呼ぶスマートフォン向け半導体。メモリーとしては初めてEUV技術を採用し半導体回路の線幅を1段階細くした。サムスンは具体的な数字を明かさないものの、回路線幅は15~16ナノ(ナノは10億分の1)メートルとみられる。同社は2021年にさらに1世代先のDRAM量産も予定している。

DRAMの開発競争を巡っては、製造技術の難易度が高まり、17~18ナノで各社足踏みが続いていた。この物理的な限界を突破するのに必要なのがEUVの製造技術だった。ただ、EUV装置はオランダのASMLが独占的に供給しており、半導体メーカー各社が同装置の入荷を待つ状態が続く。サムスンはいち早くEUV装置を確保して最先端DRAMを量産し、韓国SKハイニックスや米マイクロン・テクノロジーとの技術格差を広げる。

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