ローム、オン抵抗4割減のSiCパワーMOSFET

BP速報
2020/6/19 11:28
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ロームの+1200ボルト耐圧SiCパワーMOSFET(出所:ローム)

ロームの+1200ボルト耐圧SiCパワーMOSFET(出所:ローム)

日経クロステック

ロームは、電気自動車(EV)などの電源に使う素子として単位面積当たりのオン抵抗を同社従来品に比べて約40%削減した+1200 ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を開発したと17日に発表した。+1200V耐圧SiCパワーMOSFETとしては、同社の第4世代品に当たる。

パッケージに入っていないベアチップでのサンプル出荷を6月に開始した。今後、パッケージに封止した単機能半導体(ディスクリート)品のサンプル出荷も始める予定だ。EVやハイブリッド車(HEV)に向けた車載充電器やトラクションインバーター(主機用インバーター)のほか、産業機器向け電源装置やインバーターなどに向ける。

一般に、パワーMOSFETでは、オン抵抗と短絡耐量時間(短絡時に破壊に至るまでの時間)はトレードオフの関係にある。つまり、オン抵抗を削減すると短絡耐量時間は短くなり、信頼性が低下してしまう。

そこで今回の開発品では、同社独自の素子構造「ダブルトレンチ構造」にさらなる改良を加えることで、短絡耐量時間を犠牲にすることなく、オン抵抗の削減を実現した。例えば、ゲート-ソース間電圧が+18ボルトのときのオン抵抗は、第3世代品では約23ミリオームだったが、第4世代品では約12ミリオームと低い。

製品の詳細な特性値(スペック)や、量産開始時期は未定である。

(ライター 山下勝己)

[日経クロステック 2020年6月18日掲載]

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