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キオクシア、112層フラッシュメモリーを開発

半導体大手のキオクシア(旧東芝メモリ)は31日、112層の記憶素子を積層したフラッシュメモリーを試作したと発表した。回路技術などを最適化して、現行の96層品に比べ単位面積あたりの記憶容量を約20%向上した。協業先の米ウエスタンデジタル(WD)と共同開発した。

キオクシアが試作した112層の記憶素子を積層する3次元フラッシュメモリー

試作品の容量は512ギガ(ギガは10億)ビットで、1つの記憶素子に3ビットを記録する。キオクシアは3月までにサンプル出荷を開始する予定。WDは量産時期について「2020年の後半を予定している」と発表した。両社が共同運営する四日市工場(三重県四日市市)や北上工場(岩手県北上市)で生産する。

調査会社などによると、キオクシアとWDはフラッシュメモリーの世界シェアで2位、3位を占める。首位の韓国サムスン電子は、記憶素子を100層以上積層した製品の量産を19年6月に始めたと発表している。

(龍元秀明)

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