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東芝メモリ、高速メモリーを開発

半導体大手の東芝メモリはデータセンターの記憶装置に使う新型の半導体メモリー「XL-FLASH」を開発し、9月にサンプル出荷を始めると発表した。記憶素子を96層積み重ねる最先端の3次元フラッシュメモリー技術と、1つの記憶素子に1ビットを記録するSLC方式とを組み合わせ、高速の読み出しや書き込みに対応した。

現行のNAND型フラッシュメモリーは、大容量化のため1つの記憶素子に3ビットを記録するTLC方式が主流。一方、XL-FLASHはあえてSLC方式を採用し、読み出し時間をNANDの約10分の1に短縮した。東芝メモリは一部の顧客向けにまず128ギガ(ギガは10億)ビット製品をサンプル出荷し、2020年の量産開始を予定する。

データセンターでは高速なDRAMと大容量のフラッシュメモリーの間を埋めるため、「ストレージクラス」と分類される新型メモリーの活用が広がりつつある。ライバルの韓国サムスン電子も読み出し時間を短縮した新型メモリー「Z-NAND」を製品化している。

東芝メモリはNANDとXL-FLASHを組み合わせて、成長分野と位置づけるデータセンター向けの品ぞろえを強化する考えだ。

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