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名大とJST、結晶のシワの運動が光照射で変化する現象をナノスケールで計測することに成功

発表日:2021年02月18日

光の中で半導体のナノ運動とフォースを読む!

~光による構造的強さの変化を測るために~

国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学大学院工学研究科の中村 篤智 准教授、松永 克志 教授らの研究グループは、独ダルムシュタット工科大学のXufei Fang(シューフェイ・ファン) 博士および東京大学大学院工学系研究科総合研究機構の幾原 雄一教授、栃木 栄太 助教との共同研究で、半導体に外部から光(フォトン)と力(フォース)を同時に入射する手法を新たに開発し、結晶のシワ(転位(注1))の運動が光照射で変化する現象をナノスケールで計測することに初めて成功しました。

高度に情報化された現代社会において、半導体材料の重要性は非常に高いものとなっています。半導体には壊れないこと、つまり、高い信頼性や耐久性が求められます。半導体の構造的な強さが光環境に強く依存することが発見されて以来、各種半導体の本当の強さを知るための手法開発が期待されてきました。本研究では、完全にコントロールされた光(フォトン)と力(フォース)をナノスケールで同時に半導体に入射し、半導体の強さに及ぼす光の効果をナノスケールで計測する手法の開発に成功しました。この研究成果により、多種多様な先進半導体の構造的な強さを正しく評価できるようになります。

本研究成果は、2021年2月17日付(日本時間2月18日)米国科学雑誌『Nano Letters』オンライン版に掲載されます。

本研究は、主に、2019年度から始まった科学技術振興機構(JST)『さきがけ研究「力学機能のナノエンジニアリング」研究領域(JPMJPR199A)』の支援で行われたものです。また、研究の一部では、『新学術領域「機能コア科学(19H05786)」』ならびに『特別推進研究(17H06094)』をはじめとする日本学術振興会科学研究費助成事業の支援を受けました。

※以下は添付リリースを参照

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

添付リリース

https://release.nikkei.co.jp/attach/605310/01_202102181040.pdf

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