プレスリリース

東北大と埼玉大、お椀型分子の表と裏を利用した強誘電体メモリを作製

2021/2/3 19:01
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発表日:2021年02月03日

お椀型分子の表と裏を利用した強誘電体メモリの作製

~ナノレベル高密度メモリのための新分子デザイン~

【発表のポイント】

・入手が容易で毒性の少ない元素から構成される有機強誘電体は、次世代の高密度メモリへの応用の観点から注目を集めている。メモリの担い手となる「お椀型分子」を開発し、それが強誘電体として振舞うことを実証した。

・本分子で見られたボウル反転現象は、不揮発性強誘電体メモリ(注1)への応用が期待され、従来のメモリ密度の数十倍を可能とする分子メモリ素子の開発に繋がる研究成果である。

【概要】

従来の記録密度の限界を突破する高密度メモリの実現には、分子レベルでデザインされた新物質の開発が鍵となります。東北大学の大学院生 呉筧●(◇)氏、芥川智行教授、埼玉大学の古川俊輔助教、斎藤雅一教授らの研究グループは、非平面型の湾曲したお椀型共役分子(注2)であるトリチアスマネン誘導体(注3)を用いて、固体状態におけるお椀型分子のボウル反転現象による双極子モーメントのスイッチングを利用した有機強誘電体の作製に成功しました。お椀型分子は、分子の内側と外側(表と裏)の区別が可能で、外部電場を印加すると分子の表裏が反転します。このように分子に表裏を起源とする非対称性を付与することができ、分子の双極子モーメントの反転を利用した新たな動作原理に基づく分子メモリの創製に利用できることを実証しました。

◇「呉筧●」の正式表記は添付の関連資料を参照

※参考画像は添付の関連資料を参照

本研究の成果は英国現地時間の2月3日、学術誌 Nature Communications にオンライン掲載される予定です。

本研究は、科研費基盤研究(A)JP19H00886、科研費学術変革研究「高密度共役」JP20H05865およびJST CREST 研究JPMJCR18I4による成果です。

※以下は添付リリースを参照

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

「呉筧●」の正式表記

https://release.nikkei.co.jp/attach/604268/01_202102011509.pdf

参考画像

https://release.nikkei.co.jp/attach/604268/02_202102011509.JPG

添付リリース

https://release.nikkei.co.jp/attach/604268/03_202102011509.pdf

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