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富士経済、パワー半導体の世界市場調査結果を発表

2019/6/5 16:55
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発表日:2019年6月5日

自動車・電装、情報通信機器分野などで次世代(SiCやGaN)の需要増加が期待される

パワー半導体の世界市場を調査

―パワー半導体の2030年市場予測(2018年比)―

■SiC 4,230億円(10.8倍) GaN 1,085億円(60.3倍)

 ~SiCが先行して市場拡大。2022年以降はGaNの本格普及に期待~

■Si 4兆2,567億円(45.1%増) 

 ~自動車・電装分野でパワーモジュールが大きく伸びる~

総合マーケティングビジネスの株式会社富士経済(東京都中央区日本橋小伝馬町 社長 清口 正夫)は、自動車・電装分野を中心に需要増加が期待されるパワー半導体について、現状の主軸であるSiをはじめ、量産化が期待される次世代、次々世代のSiC、GaN、酸化ガリウム系などの世界市場を調査した。

その結果を「2019年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」にまとめた。

この調査では、次世代、次々世代を含めたパワー半導体16品目に加え、パワー半導体構成部材17品目とパワー半導体製造装置21品目、さらにパワーエレクトロニクス機器30品目の市場について現状を分析し、将来を予測した。

対象としたパワー半導体市場は堅調に拡大しており、2018年の合計は3兆円弱となった。2018年後半より中国の市況悪化の影響から産業分野などでは需要はやや低調であるが、中・長期的には自動車の電動化に伴い自動車・電装分野の需要増加が期待される。また、電力損失低減により効率化を図るため、情報通信機器分野や電鉄車両分野でも採用機運が高まっている。

<調査結果の概要>

■次世代(SiC、GaN)、次々世代(酸化ガリウム系)パワー半導体の世界市場

※グラフ資料は添付の関連資料を参照

【SiCパワー半導体】

市場は中国や欧州を中心に拡大しており、2018年は2017年比41.8%増の390億円となった。現状はSiC-SBD(ショットキー・バリア・ダイオード)が7割を占め、情報通信機器分野を中心に需要が増えている。6インチウェハー投入の動きにより低コスト化が進んでおり、さらなる伸びが予想される。また、SiC-FET(フィールド・エフェクト・トランジスタ)は自動車・電装分野を中心に大きく伸びている。

2022年頃から海外自動車メーカーが駆動用インバータモジュールにSiCパワー半導体を採用予定であり、自動車・電装分野の需要増加が期待される。特に欧州や中国で需要が先行し、大型商用車や高級車から採用が広がり、2025年頃からは大衆車での採用が予想される。現状は駆動用インバータモジュールやオンボードチャージャー、DC-DCコンバータ向けでSiパワー半導体が採用されているが、SiCパワー半導体への置き換えるも増えるとみられる。また、電鉄車両分野では新型高速車両で需要が増えており、産業分野では溶接機械など大電力用途への搭載やデバイスの低価格化に伴う採用増加が予想される。

【GaNパワー半導体】

市場の立ち上がりが遅れているものの、今後の高耐圧化などによって自動車・電装分野などを中心に幅広く採用されるとみられる。SiCパワー半導体と比較すると当面は市場拡大のペースは緩やかであり、参入メーカー各社は2022年以降の本格的な需要増加を想定している。

GaNパワー半導体は高速スイッチング性能に強みがあるため、情報通信機器分野での基地局向け電源や仮想通貨取引で利用されるマイニング用のサーバー電源向けの需要増加が期待される。また、自動車・電装分野ではEV向けのワイヤレス給電、高周波パルス電源回路を搭載した工作機械や医療機器で需要増加が予想される。民生機器分野は高級オーディオ、ワイヤレス給電システム、ACアダプタ向けが有望である。

GaNパワー半導体を搭載する際にユーザー側で回路設計を変更する必要があることが、普及の阻害要因の一つとなっている。しかし、制御回路をIC化したパッケージ製品の開発が進んでいることから、今後は採用増が期待される。量産による低価格化や高耐圧化が進むことで採用アプリケーションが拡大するとみられる。

【酸化ガリウム系パワー半導体】

主要メーカーによるSBDの量産化が予定されている2019年に市場は本格的に立ち上がるとみられる。また、2020年頃にはFETのサンプル出荷が予定され、その後実用化が進むとみられる。量産開始当初は民生機器分野などの電源向けでの採用が予想される。当初は600V・10A製品の展開が予定されているが、以降は電流値の向上により産業分野への用途拡大が期待される。

※以下は添付リリースを参照

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

グラフ資料

https://release.nikkei.co.jp/attach_file/0511422_01.jpg

添付リリース

https://release.nikkei.co.jp/attach_file/0511422_02.pdf

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