プレスリリース

JST、「EUVリソグラフィ高感度化モジュール」の開発に成功

2018/12/4 15:10
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発表日:2018年12月4日

EUVリソグラフィの性能を向上する露光モジュールを開発

(産学共同実用化開発事業NexTEPの成果)

■ポイント

・最先端半導体デバイス製造のための極端紫外線(EUV)リソグラフィでは、露光光源強度不足で生産性が低く、高コストになるという課題があった。

・光増感化学増幅型レジスト(PSCAR(TM))を用いる方式により、レジストの解像性やラフネス特性を損なわずに感度を向上させる「EUVリソグラフィ高感度化モジュール」の開発に成功した。

・「EUVリソグラフィ高感度化モジュール」の活用によって、EUVリソグラフィの生産性が向上し、半導体デバイスの製造コストを大幅に抑えられると期待される。

JST(理事長 浜口 道成)は、産学共同実用化開発事業(NexTEP)の開発課題「リソグラフィ用レジストの高性能化モジュール」の開発結果を成功と認定しました。

この開発課題は、大阪大学 産業科学研究所の田川 精一 特任教授らの研究成果を基に、平成26年3月から平成30年3月にかけて東京エレクトロン九州株式会社(代表取締役社長 林 伸一、本社住所 熊本県合志市福原1-1、資本金20億円)に委託して、同社にて企業化開発を進めていたものです。

最先端半導体デバイス製造のために次世代リソグラフィ注1)技術として導入が進められているEUVリソグラフィ注2)は、露光光源強度不足のため生産性が低く、高コストになるという課題があり、これを補うためにレジスト注3)材料の高感度化が検討されてきました。しかし、従来の化学増幅型レジスト注4)を用いる方式では、レジスト高感度化と解像度・パターン寸法ばらつき(ラフネス)特性の維持を同時に実現することは困難でした。

本開発では、大阪大学 田川特任教授らが提唱する光増感化学増幅型レジスト(PSCAR(TM))注5)とEUVおよびUVを組み合わせた露光方式を採用し、レジストの解像性やラフネス特性を損なわずに感度を向上させる「EUVリソグラフィ高感度化モジュール」の開発に成功しました。本開発で完成した「高感度化モジュール」により、EUVリソグラフィを半導体デバイスの量産向け装置として実用化できる基盤が構築できました。

今後、半導体デバイスの量産に向けて、関連企業やコンソーシアムと材料やプロセスのさらなる改善を推進することで、半導体デバイス量産プロセスの生産性の向上、低コスト化の実現が期待されます。

産学共同実用化開発事業(NexTEP)は、大学等の研究成果に基づくシーズを用い、民間企業が単独で事業化することが困難で、開発リスクが高く規模の大きい開発を支援し、実用化を後押しする事業です。詳細情報 https://www.jst.go.jp/jitsuyoka/

※以下は添付リリースを参照

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

添付リリース

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0497328_01.pdf

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