2018年10月19日(金)

プレスリリース

京大・筑波大・東海大など、高強度テラヘルツパルスによる相変化材料の新たな結晶成長機構を発見

2018/10/12 15:50
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発表日:2018年10月12日

高強度テラヘルツパルスによる相変化材料の新たな結晶成長機構の発見

―ナノスケールの新規メモリデバイス開発に期待―

■概要

京都大学化学研究所の廣理英基 准教授(兼:京都大学物質-細胞統合システム拠点(iCeMS=アイセムス)連携准教授)、金光義彦 教授、佐成晏之 同博士課程学生、同理学研究科の田中耕一郎 教授、筑波大学数理物質系の長谷宗明 教授、東海大学工学部光・画像工学科の立崎武弘 講師、国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門の齊藤雄太 主任研究員、牧野孝太郎 研究員、フォンス・ポール 上級主任研究員、コロボフ・アレキサンドル 首席研究員、富永淳二 首席研究員らの研究グループは、高強度テラヘルツパルス(注1)を相変化材料 GeSbTe 化合物(GST)(注2)に照射すると、アモルファス状態(注3)からナノスケールで結晶成長する機構を発見しました。GSTは現在使用されている記録型DVDや次世代の不揮発性固体メモリ(注4)として期待されている相変化メモリ(注5)の記録材料です。本研究では、世界最高強度のテラヘルツパルスの発生技術を駆使することで、ピコ秒(1兆分の1秒)という非常に短い高電場パルスをGSTに加えることに成功し、電場方向へ選択的にナノスケールの結晶成長が生じることを明らかにしました。本研究成果は、メモリのスイッチング動作において瞬間的に生じる高電場効果を明らかにし、またナノスケールという極めて小さな構造変化の誘起が可能なことを示したものであり、今後相変化メモリの小型化や高効率化にもつながると期待されます。

本研究成果は、2018年10月12日付で米国物理学会の学術誌「Physical Review Letters」に掲載されます。

※図は添付の関連資料を参照

※以下は添付リリースを参照

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0493047_01.JPG

添付リリース

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0493047_02.pdf

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