2019年6月19日(水)

プレスリリース

東大、シリコン光スイッチの大幅な省電力化に成功-シリコン万能光集積回路を用いた深層学習へ応用

2018/3/12 0:05
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発表日:2018年3月12日

シリコン光スイッチの大幅な省電力化に成功

~シリコン万能光集積回路を用いた深層学習への応用に期待~

1.発表者:

竹中充(東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 准教授)

2.発表のポイント:

◆シリコン光導波路上に化合物半導体を貼り合わせることで、シリコン光スイッチの電力を6桁低減することに成功。

◆高速かつ低クロストーク光スイッチ動作にも成功。

◆光スイッチを網目状に集積したシリコン万能光集積回路の大幅な省電力化、小型化、高速化が可能に。万能光集積回路を用いた深層学習などの応用に期待。

3.発表概要:

東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻(工学部電気電子工学科 兼担)の竹中充准教授らは、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「超消費電力型光エレクトロニクス実装システム開発」プロジェクトの下、シリコン(Si)光導波路(注1)上に化合物半導体を貼り合わせることで、シリコン光スイッチ(注2)の電力を大幅に削減するなどの高性能化に成功しました。シリコン光集積回路(注3)上に光スイッチを網目状に多数集積した万能光集積回路(注4)は、人工知能用学習サーバーにおける光相互接続スイッチや光演算を用いた深層学習など種々の応用が期待されています。従来のシリコン万能光集積回路においては、主に熱光学効果を用いた光スイッチが用いられていました。しかし、消費電力が大きく、動作速度が遅いことが課題となっていました。本研究では、化合物半導体の一種であるインジウムガリウムヒ素リン(InGaAsP)をシリコン光導波路上に貼り合わせた金属―絶縁膜―半導体(Metaloxide-semiconductor,MOS)構造を用いることで、光スイッチ動作を得ることに成功しました。従来の熱光学効果を用いた光スイッチと比較して、消費電力を6桁低減することに成功しました。1000倍以上高速なスイッチング動作や低クロストーク(注5)動作の実証にも成功しました。これによりシリコン万能光集積回路の大幅な省電力化、大規模化、小型化、高速化が可能となりました。この成果により、光相互接続スイッチを用いた高性能人工知能用学習サーバーの発展に寄与することが期待されます。また光演算を用いた深層学習など新たなコンピューティングへの展開も期待されます。

本成果は、2018年3月11日(米国西部時間)に国際会議Optical Fiber Communication Conference(OFC)にて発表されます。

本研究は、国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」プロジェクトを受託した技術研究組合光電子融合基盤 技術研究所との共同実施にて実施されました。また日本学術振興会(JSPS)科研費JP26709022からも一部助成を受けています。

※以下は添付リリースを参照

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

添付リリース

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0473912_01.pdf

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