2018年10月21日(日)

プレスリリース

企業名|産業
三菱電機電機

三菱電機、「衛星通信地球局用 Ka 帯 GaN HEMT MMIC」を発売

2017/10/4 11:50
保存
共有
印刷
その他

発表日:2017年10月4日

業界トップレベルの高出力と低ひずみ特性で衛星通信地球局の小型化に貢献

「衛星通信地球局用 Ka 帯 GaN HEMT MMIC」発売のお知らせ

三菱電機株式会社は、Ka 帯(※1)衛星通信地球局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップレベル(※2)の出力電力 8W と電力増幅信号の低ひずみ特性を実現した「衛星通信地球局用 Ka 帯 GaN(※3)HEMT(※4)MMIC(※5)」を 11 月 1 日に発売します。高出力化と低ひずみ特性により、衛星通信地球局の小型化に貢献します。

※1 周波数 26GHz~40GHz のマイクロ波

※2 2017 年 10 月 4 日時点、当社調べ。衛星通信地球局用 Ka 帯 GaN HEMT MMIC 製品において

※3 Gallium Nitride:窒化ガリウム

※4 High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ

※5 Monolithic Microwave Integrated Circuit:モノリシックマイクロ波集積回路

*製品画像は添付の関連資料を参照

■新製品の特長

1.業界トップレベルの出力電力により、衛星通信地球局の小型化に貢献

・高出力化に優れた GaN デバイスの採用とトランジスタ構造の最適化により、業界トップレベルの出力電力 8W を実現

・GaN デバイスの 1 チップ上に複数の増幅用トランジスタ・整合回路・リニアライザ(※6)を搭載

・電力増幅器の最終段の部品合成数を削減し、衛星通信地球局の小型化に貢献

※6 電力増幅信号のひずみを補正する素子

2.業界トップレベルの低ひずみ特性により、信号品質の向上と小型化に貢献

・従来外付けしていたリニアライザの内蔵により、業界トップレベルとなる電力増幅信号の低ひずみ特性を実現

・通信機器の信号品質の向上と、ひずみ補償回路の削減により地球局の小型化に貢献

3.ラインアップ拡充で多様な衛星通信地球局に対応

・Ku 帯(※7)に加え Ka 帯製品のラインアップで、衛星通信地球局の多様な周波数のニーズに対応

※7 周波数 12GHz~18GHz のマイクロ波

■発売の概要

*添付の関連資料を参照

*リリース詳細は添付の関連資料を参照

●お客様からのお問い合わせ先

三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第二部

〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目 7 番 3 号

TEL 03-3218-4880 FAX 03-3218-4862

URL http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

製品画像

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0459276_01.png

発売の概要

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0459276_02.png

リリース詳細

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0459276_03.pdf

保存
共有
印刷
その他

電子版トップ速報トップ



[PR]

日本経済新聞社の関連サイト

日経IDの関連サイト

日本経済新聞 関連情報