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住友電工、高品質SiCエピタキシャル基板「EpiEra」を量産開始

2017/9/14 17:45
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発表日:2017年9月14日

高品質SiCエピタキシャル基板「EpiEra(R)」を量産開始

 

 当社は、エピタキシャル層に含まれる欠陥を極限まで低減したSiCパワーデバイス用エピタキシャル基板「EpiEra(R)」の生産・販売を開始しました。

 パワーデバイスは電力制御を目的とした半導体デバイスで、電力、鉄道、自動車、家電などの様々な分野で使われており、近年は、より高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイスが求められています。

 その中でもSiC(炭化ケイ素)は、パワーデバイスの低損失・高効率・小型化を可能にする点で最も注目されている材料のひとつです。当社はSiCパワーデバイスの基盤材料であり、その性能・信頼性に大きく影響を与えるSiCエピタキシャル基板の開発を進めてきました。

 このたび当社は、長年培ってきた化合物半導体の技術に加え、高精度シミュレーションなどを取り入れた当社独自技術の「MPZ(R)(*1)」を活用し、4インチ(100mm径)及び6インチ(150mm径)の高品質SiCエピタキシャル基板「EpiEra(R)」の製品化に成功し、量産を開始しました。

 「EpiEra(R)」は表面欠陥(*2)や基底面転位(*3)が存在しない領域の面積率(DFA率(*4))において、業界最高レベルの99%以上を達成しています。これにより、SiCパワーデバイスのさらなる品質の向上と安定化が見込まれます。

 本製品は、2017年9月17日(日)~22日(金)に米国・ワシントンD.C.で開催されるSiC及び関連材料に関する国際会議「ICSCRM 2017」の併設展示会に出展予定です。

 当社は、今後も高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイス製品の開発を進め、パワーエレクトロニクス産業の発展に貢献してまいります。

 ※参考画像は添付の関連資料を参照

 *1 MPZ:Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technologyの略。SiC成長過程に応じてシミュレーションも活用し、温度や圧力などの種々のパラメータを高精度に制御する当社独自のSiC成長技術。

 *2 表面欠陥:エピタキシャル層の表面に現れる結晶欠陥で、デバイスの歩留りに影響を与える。

 *3 基底面転位:SiC単結晶の基底面に発生する転位で、製品の信頼性に影響を与える。

 *4 DFA率:表面欠陥や基底面転位が存在しない領域(Defect Free Area)の面積率。

以上

 

 

リリース本文中の「関連資料」は、こちらのURLからご覧ください。

参考画像

http://release.nikkei.co.jp/attach_file/0457281_01.JPG

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